IRF6602详细
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
IRF6602参数
包装:剪切带 (CT),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1420pF @ 10V,功率 - 最大值:2.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DirectFET™ 等容 MQ,供应商器件封装:DIRECTFET™ MQ